MOS管器件的主要原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。它的工作原理几乎就像一个开关,设备的功能基于 MOS 电容器。MOS电容是MOSFET的主要部分。
通过分别施加正或负栅极电压,位于源极和漏极端子之间的下方氧化物层的半导体表面可以从p型反转为n型。当我们对正栅极电压施加排斥力时,氧化层下方的空穴会随着衬底被向下推。
耗尽区由与受体原子相关的结合负电荷填充。当到达电子时,形成通道。正电压还将电子从 n+ 源极和漏极区吸引到沟道中。现在,如果在漏极和源极之间施加电压,则电流在源极和漏极之间自由流动,栅极电压控制沟道中的电子。如果我们施加负电压而不是正电压,则会在氧化层下方形成空穴通道。
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