公司新闻

李在镕获赦后首箭 三星砸4,800亿研发技术

韩国三星电子副会长李在镕今天出席获特赦恢复公民权后的第一场正式活动，宣布将在2028年前对半导体尖端技术园区投资20兆韩元（约新台币4,800亿元），目标以次世代技术开发克服当前经济难关。 韩联社报导，李在镕...

供需急速逆转 英媒:半导体新危机前所未见

受疫情影响，全球晶片供应短缺已持续近两年，但近来半导体产业杂音不断，英国金融时报 （Financial Times）撰文警告，半导体行业因需求下降和库存过剩，近期突然面临低迷情况，这种产业迅速转变的状况前所未见。...

什么是MOS晶管？

关于MOSFET的寄生容量和温度特性 MOSFET的静电容量 功率管MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。 功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形...